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1 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 materialno:29155 ulapproved(e83335) easypim? modul mit schnellem trench/feldstopp igbt4 und emitter controlled 4 diode und ntc easypim? module with fast trench/fieldstop igbt4 an d emitter controlled 4 diode and ntc vorl?ufigedaten/preliminarydata vorl?ufigedaten/preliminarydata vorl?ufigedaten/preliminarydata vorl?ufigedaten/preliminarydata v???=1200v v???=1200v v???=1200v v???=1200v i??=35a/i??=70a i??=35a/i??=70a i??=35a/i??=70a i??=35a/i??=70a typischeanwendungen typischeanwendungen typischeanwendungen typischeanwendungen typicalapplications typicalapplications typicalapplications typicalapplications ?? hilfsumrichter auxiliaryinverters ?? klimaanlagen airconditions ?? motorantriebe motordrives elektrischeeigenschaften elektrischeeigenschaften elektrischeeigenschaften elektrischeeigenschaften electricalfeatures electricalfeatures electricalfeatures electricalfeatures ?? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ?? trenchigbt4 trenchigbt4 ?? v??mitpositivemtemperaturkoeffizienten v?? withpositivetemperaturecoefficient ?? niedrigesv?? lowv?? mechanischeeigenschaften mechanischeeigenschaften mechanischeeigenschaften mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures mechanicalfeatures mechanicalfeatures mechanicalfeatures ?? alosubstratfrkleinenthermischen widerstand alosubstrateforlowthermalresistance ?? kompaktesdesign compactdesign ?? l?tverbindungstechnologie soldercontacttechnology ?? robustemontagedurchintegrierte befestigungsklammern ruggedmountingduetointegratedmounting clamps modulelabelcode modulelabelcode modulelabelcode modulelabelcode barcodecode128 barcodecode128 barcodecode128 barcodecode128 dmxcode dmxcode dmxcode dmxcode contentofthecode contentofthecode contentofthecode contentofthecode digit digit digit digit moduleserialnumber 15 modulematerialnumber 611 productionordernumber 1219 datecode(productionyear) 2021 datecode(productionweek) 2223
2 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data igbt-wechselrichter / igbt-inverter h?chstzul?ssige werte / maximum rated values kollektoremittersperrspannung collectoremittervoltage ty?=25c v??? 1200 v kollektordauergleichstrom dccollectorcurrent t?=100c,ty?=175c t?=25c,ty?=175c i?? i? 35 54 aa periodischerkollektorspitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t?=1ms i?? 70 a gesamtverlustleistung totalpowerdissipation t?=25c,ty?=175c p 215 w gateemitterspitzenspannung gateemitterpeakvoltage v??? +/20 v charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. kollektoremitters?ttigungsspannung collectoremittersaturationvoltage i?=35a,v??=15v i?=35a,v??=15v i?=35a,v??=15v v?? 1,85 2,15 2,25 2,25 vv v ty?=25c ty?=125c ty?=150c gateschwellenspannung gatethresholdvoltage i?=1,20ma,v??=v??,ty?=25c v?? 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v??=15v...+15v q? 0,27 c internergatewiderstand internalgateresistor ty?=25c r? 0,0 a eingangskapazit?t inputcapacitance f=1mhz,ty?=25c,v??=25v,v??=0v ct 2, 00 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f=1mhz,ty?=25c,v??=25v,v??=0v c?t 0, 07 nf kollektoremitterreststrom collectoremittercutoffcurrent v??=1200v,v??=0v,ty?=25c i??? 1,0 ma gateemitterreststrom gateemitterleakagecurrent v??=0v,v??=20v,ty?=25c i??? 400 na einschaltverz?gerungszeit(ind.last) turnondelaytime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r?=12a t 0,025 0,025 0,025 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c anstiegszeit(induktivelast) risetime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r?=12a t? 0,013 0,016 0,018 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltverz?gerungszeit(ind.last) turnoffdelaytime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r???=12a t?? 0,24 0,295 0,31 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c fallzeit(induktivelast) falltime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r???=12a t? 0,115 0,17 0,20 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c einschaltverlustenergiepropuls turnonenergylossperpulse i?=35a,v??=600v,l?=35nh v??=15v,di/dt=2500a/s(ty?=150c) r?=12a e 1,90 2,90 3,15 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltverlustenergiepropuls turnoffenergylossperpulse i?=35a,v??=600v,l?=35nh v??=15v,du/dt=3600v/s(ty?=150c) r???=12a e?? 2,00 2,90 3,20 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c kurzschlussverhalten scdata v??15v,v??=900v v???=v???l??di/dt i?? 130 a ty?=150c t?10s, innererw?rmewiderstand thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r?? 0,60 0,70 k/w bergangsw?rmewiderstand thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt e?t=1w/(mk)/e??tt=1w/(mk) r?? 0,60 k/w
3 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data diode-wechselrichter / diode-inverter h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage ty?=25c v?? 1200 v dauergleichstrom dcforwardcurrent i? 35 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t?=1ms i?? 70 a grenzlastintegral i2tvalue v?=0v,t?=10ms,ty?=125c v?=0v,t?=10ms,ty?=150c i2t 240 220 a2s a2s charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i?=35a,v??=0v i?=35a,v??=0v i?=35a,v??=0v v? 1,65 1,65 1,65 2,15 vv v ty?=25c ty?=125c ty?=150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i?=35a,di?/dt=2500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v i? 81,0 85,0 88,0 aa a ty?=25c ty?=125c ty?=150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i?=35a,di?/dt=2500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v q? 3,95 6,80 7,50 c c c ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i?=35a,di?/dt=2500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v e?t 1,50 2,70 2,95 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c innererw?rmewiderstand thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r?? 0,80 0,90 k/w bergangsw?rmewiderstand thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode e?t=1w/(mk)/e??tt=1w/(mk) r?? 0,75 k/w diode-gleichrichter / diode-rectifier h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodischerckw.spitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage ty?=25c v?? 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprodio. forwardcurrentrmsmaximumperdiode t?=100c i??? 60 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t?=100c i?? 60 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t?=10ms,ty?=25c t?=10ms,ty?=150c i?? 450 370 aa grenzlastintegral i2tvalue t?=10ms,ty?=25c t?=10ms,ty?=150c i2t 1000 685 a2s a2s charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage ty?=150c,i?=35a v? 0,95 v sperrstrom reversecurrent ty?=150c,v?=1600v i? 1,00 ma innererw?rmewiderstand thermalresistance,junctiontocase prodiode perdiode r?? 1,05 1,15 k/w bergangsw?rmewiderstand thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode e?t=1w/(mk)/e??tt=1w/(mk) r?? 0,95 k/w
4 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data igbt-brems-chopper / igbt-brake-chopper h?chstzul?ssige werte / maximum rated values kollektoremittersperrspannung collectoremittervoltage ty?=25c v??? 1200 v kollektordauergleichstrom dccollectorcurrent t?=100c,ty?=175c t?=25c,ty?=175c i?? i? 35 54 aa periodischerkollektorspitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t?=1ms i?? 70 a gesamtverlustleistung totalpowerdissipation t?=25c,ty?=175c p 215 w gateemitterspitzenspannung gateemitterpeakvoltage v??? +/20 v charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. kollektoremitters?ttigungsspannung collectoremittersaturationvoltage i?=35a,v??=15v i?=35a,v??=15v i?=35a,v??=15v v?? 1,85 2,15 2,25 2,25 vv v ty?=25c ty?=125c ty?=150c gateschwellenspannung gatethresholdvoltage i?=1,20ma,v??=v??,ty?=25c v?? 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v??=15v...+15v q? 0,27 c internergatewiderstand internalgateresistor ty?=25c r? 0,00 a eingangskapazit?t inputcapacitance f=1mhz,ty?=25c,v??=25v,v??=0v ct 2, 00 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f=1mhz,ty?=25c,v??=25v,v??=0v c?t 0, 07 nf kollektoremitterreststrom collectoremittercutoffcurrent v??=1200v,v??=0v,ty?=25c i??? 1,0 ma gateemitterreststrom gateemitterleakagecurrent v??=0v,v??=20v,ty?=25c i??? 400 na einschaltverz?gerungszeit(ind.last) turnondelaytime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r?=47a t 0,07 0,07 0,07 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c anstiegszeit(induktivelast) risetime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r?=47a t? 0,045 0,05 0,057 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltverz?gerungszeit(ind.last) turnoffdelaytime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r???=47a t?? 0,28 0,44 0,45 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c fallzeit(induktivelast) falltime(inductiveload) i?=35a,v??=600v v??=15v r???=47a t? 0,115 0,175 0,205 s s s ty?=25c ty?=125c ty?=150c einschaltverlustenergiepropuls turnonenergylossperpulse i?=35a,v??=600v,l?=35nh v??=15v r?=47a e 5,00 6,50 7,00 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltverlustenergiepropuls turnoffenergylossperpulse i?=35a,v??=600v,l?=35nh v??=15v r???=47a e?? 2,10 3,05 3,35 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c kurzschlussverhalten scdata v??15v,v??=900v v???=v???l??di/dt i?? 130 a ty?=150c t?10s, innererw?rmewiderstand thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r?? 0,60 0,70 k/w bergangsw?rmewiderstand thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt e?t=1w/(mk)/e??tt=1w/(mk) r?? 0,60 k/w
5 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data diode-brems-chopper / diode-brake-chopper h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage ty?=25c v?? 1200 v dauergleichstrom dcforwardcurrent i? 10 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforw.current t?=1ms i?? 20 a grenzlastintegral i2tvalue v?=0v,t?=10ms,ty?=125c v?=0v,t?=10ms,ty?=150c i2t 16,0 14,0 a2s a2s charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i?=10a,v??=0v i?=10a,v??=0v i?=10a,v??=0v v? 1,75 1,75 1,75 2,25 vv v ty?=25c ty?=125c ty?=150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i?=10a,di?/dt=500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v i? 12,0 10,0 8,00 aa a ty?=25c ty?=125c ty?=150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i?=10a,di?/dt=500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v q? 0,90 1,70 1,90 c c c ty?=25c ty?=125c ty?=150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i?=10a,di?/dt=500a/s(ty?=150c) v?=600v v??=15v e?t 0,24 0,52 0,59 mj mj mj ty?=25c ty?=125c ty?=150c innererw?rmewiderstand thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r?? 1,75 1,95 k/w bergangsw?rmewiderstand thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode e?t=1w/(mk)/e??tt=1w/(mk) r?? 1,30 k/w ntc-widerstand / ntc-thermistor charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t?=25c r? 5,00 ka abweichungvonr??? deviationofr??? t?=100c,r???=493a ?r/r 5 5% verlustleistung powerdissipation t?=25c p? 20,0 mw bwert bvalue r=r?exp[b????(1/t1/(298,15k))] b???? 33 75 k bwert bvalue r=r?exp[b????(1/t1/(298,15k))] b???? 34 11 k bwert bvalue r=r?exp[b?????(1/t1/(298,15k))] b????? 3433 k angaben gem?? gltiger application note. specification according to the valid application no te.
6 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data modul / module isolationsprfspannung insulationtestvoltage rms,f=50hz,t=1min. v??? 2,5 kv materialfrinnereisolation materialforinternalinsulation alo kriechstrecke creepagedistance kontaktkhlk?rper/terminaltoheatsink kontaktkontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm luftstrecke clearancedistance kontaktkhlk?rper/terminaltoheatsink kontaktkontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comparativetrackingindex cti >200 min. typ. max. modulinduktivit?t strayinductancemodule l?? 30 nh modulleitungswiderstand, anschlssechip moduleleadresistance, terminalschip t?=25c,proschalter/perswitch r????? r????? 5,00 6,00 ma h?chstzul?ssigesperrschichttemperatur maximumjunctiontemperature wechselrichter,bremschopper/inverter,brakecho pper ty?? 175 c temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions wechselrichter,bremschopper/inverter,brakecho pper ty?? 40 150 c lagertemperatur storagetemperature t? 40 125 c anpresskraftfrmech.bef.profeder mountigforceperclamp f 40 80 n gewicht weight g 39 g der strom im dauerbetrieb ist auf 30a effektiv pro anschlusspin begrenzt. the current under continuous operation is limited t o 30a rms per connector pin.
7 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data ausgangskennlinieigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinieigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinieigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinieigbtwechselr.(typisch) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) v??=15v v??=15v v??=15v v??=15v v??[v] i?[a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 ty?=25c ty?=125c ty?=150c ausgangskennlinienfeldigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinienfeldigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinienfeldigbtwechselr.(typisch) ausgangskennlinienfeldigbtwechselr.(typisch) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) outputcharacteristicigbtinverter(typical) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) ty?=150c ty?=150c ty?=150c ty?=150c v??[v] i?[a] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 v??=19v v??=17v v??=15v v??=13v v??=11v v??=9v bertragungscharakteristikigbtwechselr.(typisch) bertragungscharakteristikigbtwechselr.(typisch) bertragungscharakteristikigbtwechselr.(typisch) bertragungscharakteristikigbtwechselr.(typisch) transfercharacteristicigbtinverter(typical) transfercharacteristicigbtinverter(typical) transfercharacteristicigbtinverter(typical) transfercharacteristicigbtinverter(typical) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) v??=20v v??=20v v??=20v v??=20v v??[v] i?[a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 ty?=25c ty?=125c ty?=150c schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) e=f(i?),e??=f(i?) e=f(i?),e??=f(i?) e=f(i?),e??=f(i?) e=f(i?),e??=f(i?) v??=15v,r?=12a,r???=12a,v??=600v v??=15v,r?=12a,r???=12a,v??=600v v??=15v,r?=12a,r???=12a,v??=600v v??=15v,r?=12a,r???=12a,v??=600v i?[a] e[mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 e,ty?=125c e??,ty?=125c e,ty?=150c e??,ty?=150c
8 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) schaltverlusteigbtwechselr.(typisch) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) switchinglossesigbtinverter(typical) e=f(r?),e??=f(r?) e=f(r?),e??=f(r?) e=f(r?),e??=f(r?) e=f(r?),e??=f(r?) v??=15v,i?=35a,v??=600v v??=15v,i?=35a,v??=600v v??=15v,i?=35a,v??=600v v??=15v,i?=35a,v??=600v r?[a] e[mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 0 2 4 6 8 10 12 14 e,ty?=125c e??,ty?=125c e,ty?=150c e??,ty?=150c transienterw?rmewiderstandigbtwechselr. transienterw?rmewiderstandigbtwechselr. transienterw?rmewiderstandigbtwechselr. transienterw?rmewiderstandigbtwechselr. transientthermalimpedanceigbtinverter transientthermalimpedanceigbtinverter transientthermalimpedanceigbtinverter transientthermalimpedanceigbtinverter z??=f(t) z??=f(t) z??=f(t) z??=f(t) t[s] z??[k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 10 z??:igbt i: r[k/w]: [s]: 1 0,058 0,0005 2 0,135 0,005 3 0,47 0,05 4 0,537 0,2 sichererrckw?rtsarbeitsbereichigbtwr.(rbsoa) sichererrckw?rtsarbeitsbereichigbtwr.(rbsoa) sichererrckw?rtsarbeitsbereichigbtwr.(rbsoa) sichererrckw?rtsarbeitsbereichigbtwr.(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbtinv.(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbtinv.(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbtinv.(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbtinv.(rbsoa) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) v??=15v,r???=12a,ty?=150c v??=15v,r???=12a,ty?=150c v??=15v,r???=12a,ty?=150c v??=15v,r???=12a,ty?=150c v??[v] i?[a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70 77 i?,modul i?,chip durchlasskennliniederdiodewechselr.(typisch) durchlasskennliniederdiodewechselr.(typisch) durchlasskennliniederdiodewechselr.(typisch) durchlasskennliniederdiodewechselr.(typisch) forwardcharacteristicofdiodeinverter(typical) forwardcharacteristicofdiodeinverter(typical) forwardcharacteristicofdiodeinverter(typical) forwardcharacteristicofdiodeinverter(typical) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) v?[v] i?[a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 ty?=25c ty?=125c ty?=150c
9 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) e?t=f(i?) e?t=f(i?) e?t=f(i?) e?t=f(i?) r?=12a,v??=600v r?=12a,v??=600v r?=12a,v??=600v r?=12a,v??=600v i?[a] e[mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 e?t,ty?=125c e?t,ty?=150c schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) schaltverlustediodewechselr.(typisch) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) switchinglossesdiodeinverter(typical) e?t=f(r?) e?t=f(r?) e?t=f(r?) e?t=f(r?) i?=35a,v??=600v i?=35a,v??=600v i?=35a,v??=600v i?=35a,v??=600v r?[a] e[mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 e?t,ty?=125c e?t,ty?=150c transienterw?rmewiderstanddiodewechselr. transienterw?rmewiderstanddiodewechselr. transienterw?rmewiderstanddiodewechselr. transienterw?rmewiderstanddiodewechselr. transientthermalimpedancediodeinverter transientthermalimpedancediodeinverter transientthermalimpedancediodeinverter transientthermalimpedancediodeinverter z??=f(t) z??=f(t) z??=f(t) z??=f(t) t[s] z??[k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z??:diode i: r[k/w]: [s]: 1 0,104 0,0005 2 0,237 0,005 3 0,636 0,05 4 0,573 0,2 durchlasskennliniederdiodegleichrichter(typisch ) durchlasskennliniederdiodegleichrichter(typisch ) durchlasskennliniederdiodegleichrichter(typisch ) durchlasskennliniederdiodegleichrichter(typisch ) forwardcharacteristicofdioderectifier(typical) forwardcharacteristicofdioderectifier(typical) forwardcharacteristicofdioderectifier(typical) forwardcharacteristicofdioderectifier(typical) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) v?[v] i?[a] 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 ty?=25c ty?=150c
10 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data ausgangskennlinieigbtbremscopper(typisch) ausgangskennlinieigbtbremscopper(typisch) ausgangskennlinieigbtbremscopper(typisch) ausgangskennlinieigbtbremscopper(typisch) outputcharacteristicigbtbrakechopper(typical) outputcharacteristicigbtbrakechopper(typical) outputcharacteristicigbtbrakechopper(typical) outputcharacteristicigbtbrakechopper(typical) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) i?=f(v??) v??=15v v??=15v v??=15v v??=15v v??[v] i?[a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 ty?=25c ty?=125c ty?=150c durchlasskennliniederdiodebremschopper(typisch ) durchlasskennliniederdiodebremschopper(typisch ) durchlasskennliniederdiodebremschopper(typisch ) durchlasskennliniederdiodebremschopper(typisch ) forwardcharacteristicofdiodebrakechopper(typi cal) forwardcharacteristicofdiodebrakechopper(typi cal) forwardcharacteristicofdiodebrakechopper(typi cal) forwardcharacteristicofdiodebrakechopper(typi cal) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) i?=f(v?) v?[v] i?[a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 ty?=25c ty?=125c ty?=150c ntctemperaturkennlinie(typisch) ntctemperaturkennlinie(typisch) ntctemperaturkennlinie(typisch) ntctemperaturkennlinie(typisch) ntctemperaturecharacteristic(typical) ntctemperaturecharacteristic(typical) ntctemperaturecharacteristic(typical) ntctemperaturecharacteristic(typical) r=f(t) r=f(t) r=f(t) r=f(t) t?[c] r[a] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r?
11 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data schaltplan / circuit diagram ? geh?useabmessungen / package outlines infineon
12 technische information / technical information FP35R12W2T4 igbt-module igbt-modules preparedby:dk approvedby:mb dateofpublication:20091019 revision:2.2 vorl?ufige daten preliminary data nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten s ind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachper sonal bestimmt. die beurteilung der eignung dieses produktes fr ihre a nwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkm ale beschrieben, fr die wir eine liefervertraglich e gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?lich nach ma?gabe der im jeweiligen lief ervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr da s produkt und dessen eigenschaften keinesfalls ber nommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenblatts hina usgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den ei nsatz dieses produktes betreffen, setzen sie sich b itte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www. infineon.com, vertrieb&kontakt). fr interessenten halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt gesundheitsgef?hrdende substanzen enthalte n. bei rckfragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen substa nzen setzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr si e zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in anwendung en der luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgef?hr denden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, da ss wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qu alit?tsassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherung svereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer laufenden produktbeobachtung dringend empfehlen un d gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produktdatenblatts bl eiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data sheet is ex clusively intended for technically trained staff. y ou and your technical departments will have to evaluate the suitability o f the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the character istics of this product for which a warranty is gran ted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditio ns of the supply agreement. there will be no guaran tee of any kind for the product and its characteristics. should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sale s office, which is responsible for you (see www.inf ineon.com, sales&contact). for those that are specifically interested we may p rovide application notes. due to technical requirements our product may conta in dangerous substances. for information on the typ es in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in aviation ap plications, in health or live endangering or life s upport applications, please notify. please note, that for any such application s we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing produc t survey, and that we may make delivery depended on the re alization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equi valent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.

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